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                                                                               概述

在2.5D/3D先进封装制程中，TSV通孔、Chiplet异质集成，芯片微电路、凸点、铜柱结构极其精密脆弱。流体ESD静电放电是隐形良率杀手：超纯水高速流动摩擦会积累大量静电，极易造成器件隐性击穿、凸点损伤、介质层破坏，出现间歇性失效，测试难以复现排查。

恩乐科ELK系列CO₂发泡机（CO₂ Bubbler），将18.2MΩ·cm超纯水精准调控至0.1‑2 MΩ·cm，在不引入金属离子、无固体残留前提下，提升水体导电能力，泄放流体静电，覆盖先进封装多道关键工序。

全制程应用场景

1. 清洗工序晶圆、中介片清洗，去除颗粒、有机残渣。纯水静电会造成颗粒静电回吸，ELK消除流体静电，降低颗粒再吸附，提升清洗良率。

2. 镀膜、沉积工序镀膜前预清洗，避免静电击穿薄膜层，保护超薄介质膜、金属薄膜，防止膜层针孔、局部损伤。

3. 去胶工序光刻胶剥离冲洗，消除冲洗水流静电，防止微结构、铜柱、微凸点被静电冲击损坏。

4. 键合 / 解键合临时键合、解键合冲洗冷却环节，器件已经完成微凸点制备，抗静电能力极差；ELK控制水体电阻率，规避水流静电造成凸点微损伤。

5. TSV通孔、开槽、环切硅通孔刻蚀后冲洗，高深宽比TSV结构，静电极易损伤侧壁介质层；可控CO₂溶水工艺，兼顾洁净度与静电泄放。

6. 晶圆减薄研磨后冲洗，超薄晶圆机械强度低，同时对静电高度敏感，防止静电导致微裂纹扩展、器件失效。

7. 划片（切割）划片冲洗是ESD最高发工序。高速水流冲击产生大量静电，ELK稳定调控电阻率，避免划片过程芯片静电击穿，是长电、通富、华天、盛合晶微等头部封测量产验证核心场景。

核心技术原理

1. 采用PFA/PTFE电子级膜接触器（SEMI‑G5等级），气体渗透溶解，气液两相分离，无气泡冲击晶圆；

2. PID闭环控制，精准调节CO₂进气量，稳定控制出水电阻率0.1‑2MΩ·cm，精度±0.1MΩ·cm；

3. CO₂冲洗后完全挥发，无离子残留，不污染晶圆，区别于添加化学防静电剂方案；

4. 支持一拖多并联，一台设备供给多条工艺产线；支持MES对接、数据记录、报警输出，适配工厂自动化。

产品优势

✅ 适配2.5D、3D、TSV、Chiplet先进封装量产产线，国内多家头部封测厂已量产落地

✅ 开机零延时，小流量工况电阻率依旧稳定，适配实验室、小批量验证到大产线

✅ 整机国产化，交期短，备件供应快，对比进口设备大幅降低采购与运维成本

与传统防静电手段互补

• 环境端：接地、防静电台垫、温湿度管控，解决人员、设备本体静电；

• ELKPURE CO₂发泡机：专门解决工艺流体（超纯水）带来的流动静电，二者配合，完整覆盖先进封装ESD风险。总结：先进封装很多ESD损伤不是设备、人手带来，而是超纯水水流本身，ELK系列从流体源头解决制程静电风险。