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恩乐科G5级电子双氧水的提纯工艺介绍：目前，国内外生产双氧水几乎全部采用蒽醌法，在双氧水生产过程中产生少量蒽醌类有机物，随着装置运行时间的增长，蒽醌类有机物含量也会有所增加， 双氧水中的有机碳会严重影响产品的品质，如使用有机碳含量超标的双氧水进行环己酮肟生产，就会把这部分有机物带入最终产品己内酰胺中，给产品纯度带来影响。

恩乐科G5级电子双氧水和异丙醇的提纯工艺，是在原有工艺基础上进行升级迭代， 通过改进提纯设备，改进提纯工艺流程，来实现进一步控制金属颗粒含量，让产品能够达到8寸和12寸半导体级晶圆的使用需求。

恩乐科G5级电子双氧水的技术路线：

降温+膜过滤+树脂吸附+PTFE全氟滤芯过滤，把普通双氧水提纯到SEMI G5标准，用于2-7纳米芯片制程，可以提供验证平台和中试。

G5级电子双氧水（电子级过氧化氢）是半导体制造中用于晶圆清洗的关键湿电子化学品，其纯度要求极高，主要金属杂质含量需低于 10ppt（万亿分之一），且对颗粒物控制有严苛标准 。

以下是关于G5级电子双氧水提纯的流程：

1. 核心提纯工艺流程
G5级电子双氧水的制备通常基于电解法合成的低浓度过氧化氢，经过多级纯化步骤实现 。

*   初级蒸馏：将电解产生的含过氧化氢溶液进行蒸馏，去除大部分无机杂质，初步达到SEMI G2标准 。
*   超纯化深度处理：在蒸馏基础上，通过以下一种或多种组合技术进一步降低金属离子和有机物含量：
    *   树脂吸附技术：采用多孔树脂或特定功能吸附树脂（如恩乐科ELK-6360、ELK7310、ELK8250等复合功能吸附树脂）去除痕量金属离子 。
    *   膜分离与电化学耦合：利用导电RO膜结合脉冲电场抑制结垢，并集成钛电极进行原位氧化，解决膜污染问题 。
    *   高级氧化与萃取：部分先进工艺采用超临界CO₂与低温等离子体协同，或MOF（金属有机框架）吸附与微通道反应器集成，以全覆盖去除有机物并深度净化金属离子 。
    *   精密过滤：使用高纯度PFA材质的过滤器和管道系统，防止输送过程中引入二次污染，确保颗粒物达标 。

2. 关键质量控制指标
*   金属杂质：总金属含量需控制在 10ppt 以下，部分标杆企业甚至要求做到低于 1ppt 。
*   颗粒物：需严格控制微小颗粒，避免在纳米级制程中导致物理缺陷或短路 。
*   包装与储存：必须使用ISO 7级洁净室生产的原生树脂PFA试剂瓶，避光、低温保存，保质期通常为12个月 。

3、应用场景：

G5级电子双氧水，主要用于 12英寸晶圆7纳米以下先进制程芯片表面杂质清洗、蚀刻及光刻胶去除工序。